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玉木和彦, 山口孝弘, 小田晃造, 寺坂直生, 中井大介, 中台正和: 具有两个或更多取代基的苯化合物. 第一三共株式会社, 邹 锋, 李连涛, 中国专利代理, December 26, 2007: CN200580045059.1

本发明提供了一种优异的LXR调节剂。特别提供了由通式(I)代表的化合物[其中R1表示-COR9(其中R9表示烷基、任选取代的烷氧基或任选取代的氨基);R2表示H、OH、烷氧基、任选取代的氨基等;R3表示H、任选取代的烷基、环烷基、任选取代的烷氧基、任选取代的氨基、卤素等;R4和R5分别表示H、任选取代的烷基、卤素等;R6和R7分别表示H或烷基;R8表示-X2R10[其中R10表示-COR11(其中R11表示OH、任选取代的烷氧基、任选取代的氨基等)、-SO2R12(其中R12表示任选取代的烷基、任选取代的氨基等)、四唑-5-基等;X2表示单键、任选取代的亚烷基等];X1表示-NH-、-O-、- ...


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鹫野隆, 反町进, 中井大介, 冈本薰, 早川茂则: 半导体光装置. 日本光进株式会社, 钟晶, 北京银龙, September 3, 2008: CN200810009530.7

本发明提供一种半导体光装置,其在半导体基板上形成的活性面上大体上以垂直方向或平行方向发光或受光,在活性面的一侧上形成与上述活性面连接的电极,通过半导体光装置在该电极的端部具有阶梯形或锥形,由此可以解决本发明的技术问题。半导体光装置的电极由粘着层/扩散阻挡层/Au层这三层形成,阶梯形或锥形通过Au层的薄膜厚度差或者粘着层/扩散阻挡层/Au层膜的厚度而形成。


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木内豊, 新井和彦, 佐藤邦彦, 高桥左近, 东村昌代, 山田光介, 栗田笃实, 中井大介: 图像形成设备及图像形成方法. 富士施乐株式会社, March 18, 2015: CN201410188192.3

本发明提供一种图像形成设备及图像形成方法,该图像形成设备包括图像形成单元以及控制单元,其中,所述图像形成单元将对形成在感光体上的潜像进行显影而得到的色调剂图像转印到连续记录媒体上,由此在所述连续记录媒体上形成图像;所述控制单元以将基于图像信息的图像形成在所述连续记录媒体的预定的图像区域的同时,在所述连续记录媒体的所述图像区域以外的预定的边缘区域形成预定的图像图案的方式控制所述图像形成单元。