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Eric Yu
游士弘, 郑杰元: 一种支架结构. 苏州佳世达光电有限公司, 佳世达科技股份有限公司, 常亮, 李辰, 北京集佳, January 25, 2012: CN201110138856.1

本申请公开了一种支架结构,球形头部和支撑杆,所述支撑杆可拆卸的连接于所述球形头部上,所述支架结构的球形头部嵌入被支撑物内,所述球形头部可以在所述被支撑物中转动,从而实现被支撑物与支架结构之间的角度可调,进而实现了被支撑物以不同的角度摆放在平面上。


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王谨恒, 黄旭鑫: 掩膜版制作方法及系统. 无锡华润上华半导体有限公司, 无锡华润上华科技有限公司, 常亮, 李辰, 北京集佳, May 30, 2012: CN201010560253.6

本发明实施例公开了一种掩膜版制作方法及系统,该方法包括:a)确定光刻工艺条件;b)收集设计图形的OPC数据;c)从OPC数据中筛选出设计间距小于临界值的OPC图形数据;d)根据筛选出的OPC图形数据创建OPC模型,建立OPC程序;e)根据OPC程序,对筛选出的OPC数据进行OPC运算;f)验证OPC运算后的图形数据的CD与目标CD的差值是否在误差允许范围内,如果否,返回步骤a)、b)、c)或d),如果是,根据设计图形以及OPC运算后的图形数据制作掩膜版。本发明只对筛选出的设计间距小于临界值的图形数据进行OPC处理,减少了OPC处理的数据量,缩短了OPC运算的时间,进而缩短了掩膜版的制作周期。


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王乐: 一种双栅氧半导体器件制造方法. 无锡华润上华半导体有限公司, 无锡华润上华科技有限公司, 常亮, 李辰, 北京集佳, May 30, 2012: CN201010564039.8

本发明实施例公开了一种双栅氧半导体器件制造方法,包括:在半导体晶片表面上依次通过涂布光刻胶、曝光、显影步骤形成厚栅氧层区域的光刻胶图形;以厚栅氧层区域的光刻胶图形为掩模、通过离子注入工艺向薄栅氧层区域注入氮原子,形成氮注入层;去除半导体晶片表面上的光刻胶;采用热氧化工艺在半导体晶片上的表面一次性形成厚栅氧层与薄栅氧层。本实施例提供的方案,相对比与现有技术,能够减少一次热氧化制程,所以能够简化工艺流程,降低生产成本,并提高生产效率。


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贺诗词, 刘冰, 张茜, 汝坤林, 郑军伟, 李德成: 一种LiNi0.5Mn1.5O4的制备方法. 苏州大学, 轻工业化学电源研究所, 常亮, 李辰, 北京集佳, May 30, 2012: CN201010564072.0

本发明实施例公开了一种LiNi0.5Mn1.5O4的制备方法,该方法通过制备含镍锰的混合物,然后在900~1000℃下煅烧,得到镍锰氧化物前驱体;将所述镍锰氧化物前驱体与锂源化合物混合,在650~750℃烧结,然后在氧气气氛中退火,得到LiNi0.5Mn1.5O4。本发明先制备得到镍锰氧化物前驱体,然后加入锂源化合物,避免了锂源化合物与锰源化合物、镍源化合物的直接接触,从而避免了NiO、Li1+xNi1-xO2等杂相的产生。并且,本发明采用了氧气气氛中退火的方法,补偿了在烧结过程中产生的氧缺陷,从而使制备的LiNi0.5Mn1.5O4的纯度较高,氧缺陷较少。


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阿里耶夫・阿里伽日・马高米道维奇: Mosfet制造方法及mosfet. 无锡华润上华半导体有限公司, 无锡华润上华科技有限公司, 常亮, 李辰, 北京集佳, May 30, 2012: CN201010564084.3

本发明实施例公开了一种MOSFET制造方法及一种MOSFET,该方法包括:在外延层表面上形成栅氧化层和多晶硅栅;在外延层表面内形成源区;进行源区氧化,在源区表面上多晶硅栅和源区之间的空隙中,形成氧化物。本发明实施例还提供了一种MOSFET,包括外延层、形成于外延层表面内的源区、形成于外延层表面上的栅氧化层和多晶硅栅,在所述MOSFET的源区表面上,多晶硅栅和源区之间的空隙中,设置有采用热氧化生长工艺形成的氧化层。本发明实施例中,源区表面形成的氧化物填充了多晶硅栅边缘和源区之间的间隙,同时增加了栅区边缘的栅氧化层的厚度,因此,能够减小栅区边缘的栅氧化层被击穿的可能性。


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贺诗词, 刘冰, 张茜, 汝坤林, 郑军伟, 李德成: 一种二次电池正极材料的制备方法. 苏州大学, 轻工业化学电源研究所, 常亮, 李辰, 北京集佳, May 30, 2012: CN201010564097.0

本发明提供了一种二次电池正极材料的制备方法,包括a)、将镍源化合物和锰源化合物在溶剂中混合,干燥;b)、将步骤a)干燥后得到的混合物在900℃~1000℃下煅烧,得到镍锰氧化物前躯体;将所述镍锰氧化物前躯体与锂源化合物混合,烧结;c)、将步骤b)烧结后得到的产物在氮气气氛中退火,得到正极材料LiNi0.5Mn1.5O4。本发明先制备得到镍锰氧化物前驱体,然后加入锂源化合物,避免了锂源化合物与锰源化合物、镍源化合物的直接接触,从而避免了NiO、Li1+xNi1-xO2等杂相的产生。并且,本发明采用了氮气气氛中退火的方法,提高了含有所述正极材料的电池的可逆容量和倍率特性。


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杜建, 李佳佳, 方浩: 半导体器件及其制造方法. 无锡华润上华半导体有限公司, 无锡华润上华科技有限公司, 常亮, 李辰, 北京集佳, May 30, 2012: CN201010564110.2

本发明实施例公开了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件制造方法包括:提供基底;在所述基底内形成阱区;采用快速热氧化工艺在所述具有阱区的基底上形成用于修复基底的氧化层;去除所述氧化层。所述半导体器件包括:基底;位于基底内的阱区;位于基底上的栅氧化层,所述栅氧化层形成在通过氧化层修复后的基底上。本发明所提供的半导体器件制造方法,采用快速热氧化工艺代替传统的快速热退火工艺,可使得受损的基底得到修复,进而可提高后续生长的栅氧化层的可靠性。


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王乐: 金属氧化物半导体型场效应管及其制造方法. 无锡华润上华半导体有限公司, 无锡华润上华科技有限公司, 常亮, 李辰, 北京集佳, May 30, 2012: CN201010564174.2

本发明实施例公开了一种金属氧化物半导体型场效应管及其制造方法,效应管包括:衬底;阱区,位于所述衬底内;浅沟道层,位于阱区上,包括第一浅沟道区和第二浅沟道区;沟道,位于第一浅沟道区和第二浅沟道区之间的阱区上,并与浅沟道层位于同一层面;栅氧化层,位于第一浅沟道区和第二浅沟道区之间的阱区之上,并与浅沟道层和沟通位于同一层面,包括分别设置于沟道两侧的第一栅氧化区和第二栅氧化区;栅区,位于所述沟道和栅氧化层之上;位于栅区两侧的源区和漏区。本发明能够使金属氧化物半导体型场效应管的栅控效率更有效,并精确控制载流子的浓度,解决栅氧化层击穿电压降低的问题,从而得到更小尺寸的金属氧化物半导体型场效应管。


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阿里耶夫・阿里伽日・马高米道维奇: 金属氧化物半导体场效应管制造方法. 无锡华润上华半导体有限公司, 无锡华润上华科技有限公司, 常亮, 李辰, 北京集佳, May 30, 2012: CN201010564581.3

本发明实施例公开了一种金属氧化物半导体场效应管制造方法,包括:在半导体晶片衬底的外延层表面上依次形成栅氧化层和多晶硅层;依次完成涂布光刻胶层、在光刻胶层中刻印栅区图形、多晶硅栅刻蚀,形成栅区的工艺,其中,所述多晶硅栅刻蚀后,形成的栅区侧面较光刻胶层中的栅区图形缩进设定长度;以光刻胶层为掩模,通过离子注入和杂质推阱,形成体区;去除光刻胶层,并去除预设的源区区域的栅氧化层;在所述体区中形成源区。应用本发明实施例所提供的技术方案,所得到金属氧化物半导体型场效应管中体区和栅区重叠面积较小,能够有效减少器件的输入电容,改善其动态特性,提高其良品率。


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解滨, 肖志宏: 三次位相板精度的检测方法及系统. 苏州大学, 常亮, 李辰, 北京集佳, May 30, 2012: CN201010568204.7

本发明公开了一种三次位相板精度的检测方法及系统,包括:A、发出平行光通过三次位相板到达反射镜,反射镜与所述三次位相板成预设角度;B、接收从反射镜通过三次位相板返回的反射光,形成干涉面形测量数据;C、将干涉面形测量数据与预设模板进行对比,得到三次位相板的误差;D、将误差进行泽尼克多项式展开;E、调整三次位相板的位置并重复执行步骤A、B、C和D,直至泽尼克多项式第三、四、六和七项的系数为零,将此时的误差作为最终误差。本发明实现了将三次位相板本身的面型误差,与摆放位置的偏差所造成的误差剥离,并且能够使用户直观地调节三次位相板的位置,来消除因摆放位置偏差所造成的误差,从而提高了检测精度。