0013302-A1 is referenced by 13 patents and cites 12 patents.

Um unterschiedliche Leitungskapazitäten umzuladen, ist eine für alle Speicherzellen gemeinsame Entladeschaltung (DS) vorhanden, die Steuersignale gleichzeitig mit den Schalttransistoren (BLS) bekommt, über die die Entladeströme der Leitungskapazitäten auf die Entladeschaltung abfliessen. Die am Ausgang der Entladeschaltung (DS) auftretenden Ströme werden entweder auf Masse oder auf eine Wortentladeleitung (WDL) und von da aus über Wortleitungs-Schalttransistoren (WLS) auf die Wortleitungen (WL) abgeleitet.

Title
Process and circuitry for operating an integrated semi-conductor memory.
Application Number
EP19790104234 19791031
Publication Number
0013302 (A1)
Application Date
October 31, 1979
Publication Date
July 23, 1980
Inventor
Wiedmann Siegfried Dr
Heuber Klaus
Assignee
Ibm
US
IPC
H01L 27/02
G11C 11/24
G11C 11/40
G11C 11/414
G11C 11/411
G11C 11/402
G11C 11/41
G11C 11/416
G11C 11/414
G11C 11/411
G11C 11/402
G11C 11/41
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